Óxidos metálicos

Os óxidos metálicos estão fornecendo métodos de rápido armazenamento de dados para computadores.

Com facilidade as células podem ser eletricamente ligadas entre estados de alta e baixa resistência que podem representar a memória binária do “0 e 1”.

O sistema inclui uma camada de óxido de zinco com 30 nanômetros de espessura colada entre dois eletrodos de platina e nitreto de titânio.

Os pesquisadores dividiram a chapa de amostra em células de memória com diversos tamanhos e, aplicando diferentes voltagens, descobriram que:

1-      a tensão de (+ 1,2 V) causa uma queda súbita na resistência;

2-      isso pode ser revertido para um estado de alta resistência, aplicando a tensão de  (-1,2 V).

Essas células de memória operaram com menor tensão do que os dispositivos anteriores feitos com tungstênio e são capazes de reter os estados de alta ou baixa resistência por pelo menos 24 horas.

Para que esse efeito aconteça, os pesquisadores estão supondo que a tensão aplicada em certo sentido causa a migração de elétrons do óxido de zinco, deixando lacunas nos átomos de oxigênio que facilitam a condução elétrica, caracterizada pela baixa resistência elétrica na célula.

Quando a voltagem é aplicada no sentido oposto, as lacunas nos átomos de oxigênio são neutralizadas pelos íons da camada de nitreto de titânio, fazendo a célula retornar para o estado de alta resistência.